異質(zhì)結(jié)太陽電池量產(chǎn)HoFCVD解決方案 HAC201-8000型：8000片/小時

【概要描述】

分類：產(chǎn)品中心
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發(fā)布時間：2022-07-19
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詳情

　　HAC201-8000系列產(chǎn)品是本公司為晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池量產(chǎn)制造開發(fā)的熱絲CVD（HoFCVD）系統(tǒng)，由如下圖所示的主鍍膜機臺（基于立式HoFCVD工藝）、上下料自動化系統(tǒng)、低價優(yōu)質(zhì)的熱絲耗材以及全套的baseline工藝構(gòu)成的整套HoFCVD鍍膜裝備技術。該系統(tǒng)可以IN-IP兩臺鍍膜機構(gòu)成，也可I-IN-P三臺鍍膜機構(gòu)成，設備產(chǎn)能8000片/小時，baseline工藝電池效率可達25.0%以上。

　　該型號的IN-IP兩臺機構(gòu)成，其基本性能如下表所示：

產(chǎn)能（片/小時）	8000
節(jié)拍	≤110s
單載板片數(shù)	120（166-182mm）
熱絲來源	自主技術
沉積材料	P/I/N a-Si:H/μc-Si:H
工藝氣體	SiH4、H2、PH3（H2 稀釋 2%）、B2H6（H2 稀釋 3%）等
膜層厚度、均勻性	≤10nm，均勻性±10%

載板溫度均勻性	≤10℃
上下料自動化配套	自主技術
運營耗材、備件成本	0.0235 元/W （預計值，以實際發(fā)生為準）
設備尺寸（長寬高）	33 米×20 米×4.5 米
預期電池效率、與產(chǎn)線其它段工序兼容性	≥25.0%、兼容性好，上下游工段設備無需做特殊調(diào)整。

　　HAC201-8000型號HoFCVD及上下料自動化布局圖（圖片僅供參考）

　　HoFCVD的鍍膜原理是依靠高溫金屬絲催化裂解反應氣體（硅烷、氫氣等），生成不帶電的活性基團，然后在襯底表面反應成膜。其原理與PECVD的依靠高頻電磁場震蕩反應生成帶電活性基團，然后轟擊襯底表面反應成膜是不同的。另，本司對HoFCVD設備的構(gòu)造、上下料自動化系統(tǒng)都進行了革新設計，使其鍍膜性能、產(chǎn)能、自動化的方便使用程度、整套系統(tǒng)的稼動率等方面均有了顯著的進步，主要特點如下：
　　產(chǎn)能大，價格低、運營成本低：每小時8000片(166-182mm尺寸)；設備價格顯著低于PECVD；運營成本比PECVD低（~10%），低價供應耗材“熱絲”。
　　鍍膜質(zhì)量好、易于實現(xiàn)微晶硅薄膜的制備、特氣耗量低：HoFCVD相比于PECVD原理上的優(yōu)點：無等離子體濺射損傷，提高界面質(zhì)量；特氣消耗量為PECVD的1/10—1/100。反應基團溫度高，易于實現(xiàn)微晶硅膜的制備。
　　無粉塵產(chǎn)生，免NF3刻蝕：提高有效工作時間（稼動率）≥5%，減少特氣消耗和排放處理；
　　非吸盤式取放硅片：徹底消除吸盤印，減少碎片率；
　　自動化模塊式構(gòu)造：減少設備宕機（稼動率≥90%），減少設備維護難度和備件成本；
　　立式結(jié)構(gòu)：可有效避免粉塵顆粒污染表面，提高連續(xù)生產(chǎn)太陽電池填充因子和良品率；
　　設備占地空間少，節(jié)省廠務成本。
　　與產(chǎn)線上下游工序兼容性好。
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